بررسی و شبیه سازی تغییر پارامترهای پیوند تونلی درین و سورس بر منحنی مشخصه ترانزیستور تک الکترونی تک جزیره ای با کمک معادلات اساسی

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 705

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NAEC02_029

تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393

Abstract:

در این مقاله ابتدا ساختار پایه ترانزیستورهای تک الکترونی تک جزیره ای معرفی می شود و مکانیزم عملکرد آنها و مشکلات مرتبط با تکنولوژی ساخت و لوم بکارگیری آنها را بیان می کنیم با استفاده معادلات اساسی حاکم بر انها و نرم افزار متلب با تغییر در مشخصه ظرفیت خازنی و مقاومت معادل پیوند تونلی درین- جزیره و سورس-جزیره در دو ساختار متقارن و غیر متقارن افزاره، منحنی های مشخصه افزاره را رسم و در مورد انها بحث خواهیم کرد. بررسی افزاره به این روش کمک شایانی به درک بهتر عملکرد و مشخصه های مطلوب آنها برای پژوهشگران و دانشجویان گرایش ادوات نیمه هادی خواهد داشت و به عنوان پیش زمینه ای برای ورد به دنیای تک الکترونیک ها محسوب خواهد شد.

Authors

سید کیوان بابایی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

سید صالح قریشی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

رضا یوسفی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • [] Jan Awrejcewicz, Numerical Simulations of Physical and Publisher: _ ...
  • سیدکیوان بابایی، مطالعه عددی ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی بر معادلات ...
  • Sanjita Mandal, Single Electron Transistor, International Journal of Innovations in ...
  • Konstantin K Likharev, Single-Electron Devices and Their Applications, Member, IEEE ...
  • نمایش کامل مراجع