بررسی پوشش های دی اکسید سیلیکون با پیش ماده تترااتیل اورتوروسیلیکات به روش PECVD
Publish place: The first national congress of new technologies in Iran with the aim of achieving sustainable development
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 709
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SENACONF01_082
تاریخ نمایه سازی: 25 فروردین 1394
Abstract:
در این تحقیق فیلم های نازک SiO2 به کمک روشPECVDدر دمای اتاق بوسیله یک پلاسمای کوپلی با ترکیبات گازی مختلف TEOS/N2/O2و در توانRFمعین و ولتاژ بایاسDCایجاد شد. ترکیب گاز مورد استفاده شاملsccm40 از گازN2در TEOS 100sccmاز گازN2 وsccm500 از گازO2 می باشد. مقاومت به خراش و شفافیت این فیلم ها می تواند از طریق نرخ رسوب گذاری معادلnm/min30با توان W RF500 و ولتاژ بایاسV dc 350 ایجاد شود. خواص رسوبهایPECVDSiO2 مانند ترکیب شیمیایی، انرژی پیوندی و ... با همین فیلم های تولید شده توسط سایر روش ها مقایسه گردید؛ نتایج نشان داد که این فیلم ها خواص برجسته ای نسبت به روش هایCVDحرارتی و تبخیری دارند. سختی سطح این پوشش ها با ضخامتnm-100- معادل با سطح زیرلایه بود.
Authors
میثم زرچی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد دزفول، گروه مهندسی مواد، دزفول، ایران
شاهرخ آهنگرانی
عضو هیات علمی پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :