بهبود عملکرد منابع جریان با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله کربنی
Publish place: The first national electronic conference on technological advances in electrical, electronics and computer engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 787
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TDCONF01_116
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
Abstract:
با توجه به اینکه فناوری CMOS سیلیکونی، در آینده خیلی نزدیک ازلحاظ فیزیکی و فناورانه محدود می شود، پس یک فناوری جدید باید جایگزین آن گردد. ساختن ترانزیستور اثر میدانی که بر اساس مواد نیمه هادی دیگری غیر از سیلیکون، مانند نانولوله های کربنی باشد، می تواند این محدودیت را از میان بردارد. منابع ولتاژ و جریان به صورت گسترده در مدارات آنالوگ بکار می رود. چنین مراجعی کمیت های dc هستند که نسبت به پارامترهای فرآیند و منبع تغذیه وابستگی کمی دارند و وابستگی آن ها به دما کاملاً مشخص است. در این مقاله، یک مدار منبع جریان انتخاب شده و معادل نانولوله ای آن نیز با نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است، سپس برخی پارامترهای این دو مدار، بررسی شده و باهم مقایسه شده است. از طرفی برای مدار نانولوله ای، تعداد تیوب ها را در دو حالت 3 تایی و 12 تایی در نظر گرفته ایم.
Keywords:
Authors
عباس نجفی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، بندرعباس، ایران
علی تجویدی
گروه مهندسی برق، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی بندرعباس، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :