حذف اثر القای مغناطیسی ناشی از سوییچ زنی درآرایه 2×2 دیودهای فلاکسونی
Publish place: The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 490
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_352
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
دراین مقاله شبیه سازی یک آرایه 2×2 از دیودهای فلاکسونی در بایاس معکوس جهت حذف اثرات ناشی از سوییچ زنی جریان کنترل و بایاس انجام شده است که در آن جریان القایی ناشی ازدیود اول باجریان آستانه روشن شدن دیودهای مجاور مقایسه می گردد. به ازای چگالی جریان بحرانی 1/5KA/cm2 مشاهده گردید با انتخاب یک پیکره بندی مناسب مانند توزیع جریان بایاس و کنترل 700μm و 100μm در نقطه کار مطلوب جریان القایی ناشی از سوییچ زنی کمتر از آستانه جریانی روشن شدن دیودهای مجاور خواهد بود، در صورتی که باانتخاب یک پیکره بندی نامناسب مانند توزیع جریان بایاس و کنترل 100μm و 600μm جریان القایی می تواند منجر به روشن شدن دیود با جریان بایاس مشابه شود. بدین ترتیب انتخاب یک پیکره بندی مناسب منجر به حذف اثرات القایی موجود و در نتیجه عملکرد صحیح آرایه خواهد شد.
Keywords:
Authors
زهرا لباف
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
حامد مهرآرا
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :