The Structural Properties of Dopped and Substituted of Silicon on Fulleren C20H10 , A Computational Study
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 633
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TCPCO02_224
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
The substituted effects and doping silicon on fullerene C20H10 (bowl) in level of density theory B3LYP ⁄ 6-31G was investigated. The comparison of structures energy in substituted of C20H10Si (two fold dop 6 member) is more stable the other structures. The computed of electric field gradient (EFG) be evaluated on silicon atoms
Keywords:
Authors
Farrokh Roya Nikmaram
Department of Chemistry, Faculty of Science, Yadegar - e- Imam Khomeini (RAH) Branch, Islamic Azad University, Tehran
Parisa Ahangari
Department of Chemistry, Faculty of Science, Yadegar - e- Imam Khomeini (RAH) Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.