بهبود کارایی سلول خورشیدی دو اتصاله مبتنی برInGaP/GaAs
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 495
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_112
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
در این مقاله ساختار یک سلول خورشیدی مبتنی بر موا د nGaP/GaAs Si را با نرم افزار lvaco یمورد مطالعه و شبیه ساز قرارگرفته است. جهت بهبود عملکرد این سلول خورشیدی؛ در مرحله اول در ناحیه بافر ماده GaAAl استفاده شده است. در مرحله دوم ماده s InGaP G به جای امیتری که از جنس aAs می باشد،استفاده شده که شکاف باند بزرگتری نسبت به aAs G دارد.لایه بیس همان aAs در نظر گرفته شده و به دو لایه با ضخامت یکسان تقسیم شده وتاثیر تغییر چگالی حاملها مورد بررسی قرار گرفته است، همزمان ضخامت لایههای بیس و امیتر را تغییر داده و اثر آن بر کارآیی مورد بررسی قرار گرفته است. در مرحله سوم ماده InGaP I به جای بیسی که از جنس nGaP I می باشد استفاده شده که شکاف باند بزرگتری نسبت به nGaP I دارد.لایه امیتر همان GaP در نظر گرفته شده و به دو لایه با ضخامت یکسان تقسیم شده و تاثیر تغییر چگالی حاملها مورد بررسی قرارگرفته است. در مرحله آخر با بررسی تاثیر تونلهای Al مختلف، بهترین نتیجه مربوط به InGaP/InGaP AM میباشد.در ساختار بهبود یافته تحت تابش 1.5 Jsc= ، 16.1954mA/cmV ، 2 oc=2.7476V FF= و 90.6396 به دست آمده که نشان دهنده کارآیی 83،5894 % میباشد که نسبت به ساختار اولیه 6،1863 % افزایش داشته است.
Keywords:
Authors
علی اکبر شهرام نژاد
گروه مهندسی برق دانشگاه غیرانتفاعی پویش
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :