شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 618
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_480
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را در شرایط بالستیک می توان با استفاده از مدل مرجعFETToy با حل خودسازمانده بین معادله پواسن و معادله انتقال بار شبیه سازی نمود. در روش فوق از اثرات جریان تونل زنی نوار به نوار صرفنظر می شود. در این مقاله با وارد نمودن جریان تونلی در نرم افزار شبیه ساز، اثر آن را بر روی جریان ترانزیستور مشاهده می کنیم. همچنین اثرات پراکندگی الاستیک و کرنش را نیز درنرم افزارFETToy وارد و اثرات آن را بر روی عملکرد افزاره مشاهده و مورد بررسی و مقایسه قرار خواهیم داد
Keywords:
Authors
مریم غفاری
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران
سیدصالح قریشی امیری
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران
رضا یوسفی
گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :