transistor with considering edge relaxation
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 368
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN05_778
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
We present an atomistic 3-D self- consistent solution of Poisson and Schrödinger equations, based on thenon-equilibrium Green’s Function (NEGF) formalism and tight- binding approximation, for a defected Graphenenanoribbon field effect transistor (GNRFET). Moreover, we consider the effect of V2 (555-777) defect and show that the edge relaxation and applied defect intensely affect the transistor performance. In this study, the devicecharacteristics are studied and compared with the perfect GNRFET.
Keywords:
Authors
A.M Abdolmalehi
School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University (TMU) Tehran, Iran
D Fathi
School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University (TMU) Tehran, Iran
A Rostami
School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University (TMU) Tehran, Iran