بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 514
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DSCONF01_137
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
Abstract:
این مقاله یک طرح جدید برای ساختار ترانزیستورهای SOI.MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب خود گرمایی(Self Heating Effect) ارائه می دهد. ایده اصلی در این ساختار نوین، استفاده از ماده 4N3Si می باشد، که دارای هدایت گرمایی بیشترینسبت به دی اکسید سیلیسیم (2SiO(2) است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ساختار نوین باعث می شود که حرارت بیشتری بهلایه های زیرین انتقال یابد و سبب کاهش میزان دما و افزایش جریان درین در ترانزیستور می شود. همچنین تمرکز منافذ در کانال و زیرمنبع در ساختار نوین نسبت به ساختار متداول کمتر می باشد که باعث بهبود اثر بدنه شناور می شود. به کمک شبیه سازی سیلواکو،عملکرد این ساختار مرود تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :