Improving the performanceof Tunnel Field Effect Transistor (TFET) based on Optimization Algorithm
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 709
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_239
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
In this article a Tunneling Field Effect transistor with the channel length 20 nm has been introduced and for the first time presents we optimize the size of devicewith multiplayerneural network(MLP)and simulateit with the source/channel junction is AlSb/
Keywords:
Authors
Seyed Ebrahim Hoseini
FerdowsiUniversity of Mashhad Mashhad, Iran
Behnam Dorostkar
Applied Research Center NAJA, ICT Department Tehran, Iran
Mehrdad Hamidzadeh
Applied Research Center NAJA, ICT Department Tehran, Iran
Mojtaba Bahrami
Amin Police University Tehran, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :