طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی 0.18μm CMOS
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 515
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0058
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده کم نویز فوق باند توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی 10.6-3.1 GHZ که با تکنولوژی TSMC0.18μm شبیه سازی شده است را شرح می دهد. با به کارگیری سلف در گیت ترانزیستور پهنای باند گسترش می یابد و تکنیک حذف نویز برای افزایش بهره مدار به کار می رود. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره 11.8dB، تطبیق امپدانس ورودی کمتر از 10dB-، مینیمم عدد نویز 3.5dB را نشان می دهد. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی 22mw توان به ازای منبع تغذیه 1.8v مصرف می کند.
Keywords:
Authors
میثم عظیمی روئین
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات خراسان شمالی
عباس گلمکانی
استادیار دانشگاه صنعتی سجاد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :