طراحی OTRA تفاضلی CMOS جدید برای منابع تغذیه ولتاژ پایین در تکنولوژی زیر میکرون
Publish place: 11th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,204
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE11_177
تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386
Abstract:
در این پروژه ، توپولوژی (OTRA) تقویت کننده مقاومت انتقالی ، عملیاتی ، تفاضلی ) CMOS) جدیدی پیشنهاد گردیده است . این توپولوژی می تواند با منابع تغذیه با ولتاژ بسیار پایین حدود 1/2 V کار کند . در این طراحی ، مدل های ترانزیستوری تکنولوژی میکرو اکترونیک ST ، 0/13 میکرون cmos برای شبیه سازی ها استفاده گردیده است . OTRA . CMOS ، طراحی شده
بهره مقاومت انتقالی 38660 V/A (Rm) با پهنای باند 29/2 Mhz(-3dB) را دارا می باشد . برای اثبات و نشان دادن عملکرد OTRA ، فیلتر MOS-C جامع با به کار گیری دو OTRA تفاضلی CMOS با نرم افزار شبیه سازی CADENCE برای اثبات نتایج تئوری طراحی و امتحان می گردد
Keywords:
Authors
وحید کارگر
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد
علی پور یزدانپناه
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد
محسن زرشناس
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :