ترانزیستورهای مبتنی بر نانوتیوب های کربنی؛ بررسی عملکرد، مدلسازی دقیق و ارائه یک مدل تقریبی
Publish place: 11th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,227
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE11_190
تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله نخست لزوم جهت گیری الکترونیک مبتنی بر سیلیکون به سمت و سوی تکنولوژی های دیگر مورد بررسی قرار گرفته است و سپس ترانزیستورهای مبتنی بر نانوتیوب های کربنی به عنوان یکی از مهمترین تکنولوژی های جایگزین معرفی شده اند . عملکرد این ترانزیستورها به کمک تئوری باندهای انرژی اتصال نیمه هادی ها به فلزات، بررسی گردیده و مدلسازی دقیق رفتار آنها به کمک فرمولیزاسیون لاندائورتشریح شده است . هم چنین یک مدل تقریبی برای این ترانوزیستورها ارائه گردیده است که بسیار ساده تر از مدل دقیق می باشد و در عین حال پارامترهای اساسی تغییر دهنده جریان را نیز مد نظر قرار می دهد
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :