بررسی طراحی دیجیتال در تکنولوژی زیر میکرون
Publish place: Second National Conference on Computer Engineering Research
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 728
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RCEITT02_143
تاریخ نمایه سازی: 22 آبان 1395
Abstract:
از زمان ارائه اولین سری از مدارهای مجتمع (سال 1960) تکنولوژی CMOS با شدت زیادی در حال کاهش است. سال 1975،مورپیش بینی کردکه تعداد ترانزیستورها در اینچ مربع، در هر 18 ماه دو برابر می شود. با ارائه هر اندازه تکنولوژی جدیدی، ابعادترانزیستورها در حال کاهش است. کاهش ابعاد تاثیر مستقیم در کاهش توان مصرفی پویا و افزایش سرعت مدار دارد. این تاثیر ازکاهش اندازه خازنها ناشی میشود.اما از طرفی کاهش مقیاس مدارهای و اندازه تکنولوژی موجب شده است تا توان نشتی بهعنوان بخش مهمی از مجموع توان مصرفی درتراشهها مطرح گردد.کاهش اندازه تکنولوژی به مقیاس 60 نانومتر باعث شد تا تواننشتی 54 درصد کل توان مصرفی را شامل شود.
Keywords:
Authors
زهرا کهراری
کارشناس ارشد،مهندسی معماری کامپیوتر،دانشگاه آزاد اشتیان
غلامرضا کریمی
دانشکده فنی ومهندسی،گروه مهندسی برق،دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :