نانوتکنولوژی در لایه های نازک

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,297

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISSE07_066

تاریخ نمایه سازی: 29 خرداد 1387

Abstract:

اصولاً ذرات در مقیاس نانومتری دو ویژگی مهم دارند که عبارتند از : 1- از قوانین فیزیک کلاسیک در مورد اغلب پدیده های مربوط به آنها دیگر تبعیت نمی کنند بلکه از قوانین مکانیک کوا نتمی استفاده می نمایند. لذا خواص اپتیکی، الکتریکی و مغناطیسی آنها در مقایسه با توده (bulk) همان ماده تغییر می کند . 2-با کاهش اندازه ذرات، نسبت سطح به حجم (A/V) سیستم زیاد می شود که این خاصیت از ویژگی های مهم و بارزکلیه سیستمهای متکامل نظیر مغز انسان، مدارات مجتمع (IC) ، کاتالیستها و غیره است. مهم و بارزکلیه سیستمهای متکامل نظیر مغز انسان، مدارات مجتمع در این مقاله، ابتدا اصول و مبانی علوم و فناوری نانو در سیستم های دوبعدی مشخصاً لایه های نازک توصیف می گردد. سپس به کاربردهای مختلف نانوتکنولوژی در حوزه های گوناگون اشاره خواهد شد . در ادامه، تکنیک های مختلف ساخت لایه های نازک به روش های فیزیکی و شیمیایی در مقیاس نانومتری ذکر میگردد. به منظور بررسی خواص سیستم های نانومتری به بعضی از نتایج تحقیقات اخیر گروه ما در زمینه ساخت لایه های نازک سیستم های نانومتری WO3/SiO2 ،Au/SiO2 ،CuOx/SiO2 ،Cu/SiO2 ،Ag/SiO2 و سیستمهای چند لایه ای نانومتری(100) Co/Wx-Ta1-x/Si(100) ،Ag/Ti/Co/Si(100) ،Ag/W/Co/Si و Ni(Pt 5% at.)/Si(100) اشاره خواهد شد. در خاتمه، نتایج بکارگیری تکنیک های آنالیز مواد شامل اسپکتروسکوپی الکترونهای اوژه، اسپکتروسکپی فتوالکترونهای اشعه X ، میکروسکوپ الکترونی عبوری، میکروسکوپ الکترونی رویشی، پراش اشعه ایکس، اسپکترومتری پس پراکندگی راترفورد برای سیستمهای مزبور ارائه میگردند.

Authors

علیرضا مشفق

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف