مقایسه و ارزیابی سطح تداخل الکترومغناطیسی در مبدل فلای بک تک سوئیچه و دو سوئیچه
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 429
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE01_023
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
Abstract:
مساله تداخل الکترومغناطیسی در مبدلهای سوئیچینگ قدرت از اهمیت ویژهای بر خوردار است. ولتاژ استرس بالا ناشی از تخلیه انرژی سلف نشتی در خازن سوئیچ در مبدل فلای بک تک سوئیچه باعث افزایش تلفات و سطح تداخل الکترومغناطیسی می شود. توپولوژی فلای بک دو سوئیچه باعث کاهش سطح ولتاژ استرس و ضربه های ولتاژ سوئیچ می شود و در نتیجه پتانسیل کاهش سطح EMI را در مبدل فلای بک تک سوئیچه دارد. برای ارزیابی میزان کاهش EMI هدایتی در مبدل فلای بک دو سوئیچه، در این مقاله دو مبدل فلای بک تک سوئیچه و دو سوئیچه مشابه 30 وات طراحی و مدلسازی شده است. بر اساس این مدلسازی، میزان کاهشEMI در مبدل فلای بک دوسوئیچه نسبت به فلای بک تک سوئیچه مقایسه و ارائه شده است
Keywords:
Authors
سعید رحمانی میاندشتی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محمدروح اله یزدانی
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :