بهبود ساختار Double Gate SOI ماسفت ها در ابعاد نانو برای ارتقاء عملکرد در حوزه RF در مدارات مجتمع
Publish place: The Second National Conference on Computer Electrical Engineering and Information Technology
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,480
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CEIC02_086
تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1387
Abstract:
این مقاله یک طرح جدید است که بر پایه بهبود اثرات کانال کوتاه افزاره های سیلیکن بر روی عایق دو گیتی در ابعاد نانو با تغییر ساختار آن با گسترش بهینه نواحی سورس / درین و توزیع ناخالصی در این نواحی و طول کانال بنا شده است . از دیگر اهداف این پروژه این است که بهره ولتاژ ذاتی و فرکانس قطع را در افزاره های سیلیکن بر روی عایق دو گیتی در ابعاد کوچک بهبود می بخشد . نتایج این بررسی نشان می دهد که این طرح بهینه یافته با طول گیت 25 نانومتر و جریان درین، 10μA/μm ، بهبود بالای 65% در بهره ولتاژ ذاتی و 85% در فرکانس قطع نشان می دهد. تاثیر عرض جداکننده های بین گیت و سورس / درین ، همچنین گرادیان ناخالص سورس /درین و متقارن بودن و یا نامتقارن بودن نواحی سورس / درین گسترش یافته بر روی معیارهای شایستگی کلیدی در کاربردهای RF، مانند ولتاژ ارلی ، ضریب هدایت انتقالی ، نسبت ضریب هدایت انتقالی به جریان ، ضریب هدایت خروجی ، به طور دقیق مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح فرصتی مناسب برای درک اهمیت استفاده از ماسفت های دو گیتی را در مدارک آنالوگ ولتاژ پایین / توان پایین ، ایجاد می کند.
Keywords:
Authors
سمیرا امیدبخش
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :