مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET
Publish place: کنفرانس ملی پژوهش های نوین در برق، کامپیوتر و مهندسی پزشکی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 435
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KAUCEE01_050
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
Abstract:
امروزه با پیشرفت فناوری های نوین در زمینه ی صنعت الکترونیک و کاهش ابعاد افزاره ها، تعداد ترانزیستورها روی یک تراشه به سرعت در حال افزایش است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ی کربنی فناوری جدید امیدوارکننده ای است که بر بسیاری از محدودیت های تکنولوژی مدار مجتمع سیلیکونی رایج غلبه کرده است. در این مقاله یک ضرب کننده ی چهار ربعی با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی و بر اساس تکنولوژی 32 نانومتر CNTFET با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. این ضرب کننده دارای ویژگی هایی نظیر توان مصرفی بسیار پایین معادل 4/2 nw محدوده ی ورودی mv±4/2، محدوده ی ورودی mv ±400، اعوجاج هارمونیکی کم کمتر از 0/72 درصد، پهنای باند نسبتا بزرگ برابر با 2 GHZ و ولتاژ تغذیه ی پایین می باشد. مدار ضرب کننده ی چهارربعی از نظر توان مصرفی، محدوده ی ورودی، عملکرد خطی، پهنای باند و تعداد ترانزیستور عملکرد بسیار بهتری نسبت به همتای CMOS خود دارد.
Keywords:
Authors
محدثه حسنی
گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.
مریم نیری
گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران.