تحلیل ساختاری تزانزیستور های اثر میدانی براساس نانو لوله های کربنی (CNTFET)
Publish place: First International Conference on Electrical Engineering, Computer Science and Information Technology
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 714
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECICONFE01_100
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396
Abstract:
با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه ھایی با ابعاد کوچک تر، استفاده از فناوری ھای جدید در ساخت ترانزیستورھا به عنوان جزء اصلی تراشه ھا ضروری به نظر می رسد. نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی روشی نوین برای ساخت ترانزیستورھا در ابعاد کوچک است. در این مقاله ابتدا ساختار الکترونی، خصوصیات مکانیکی و الکتریکی و ھمچنین روش ھای ساخت نانو لوله ھای کربن بررسی می شود. سپس ترانزیستورھای اثر میدان نانو لوله کربن به لحاظ ساختار ھندسی روش ھای ساخت و پیاده سازی و ھمچنین نحوه عملکرد مورد بحث قرار می گیرند. در ادامه ویژگی ھای آن ھا با خصوصیات ترانزیستورھای اثر میدان سیلیکونی کنونی مقایسه می شود.
Keywords:
Authors
مهدی رحیمی
دانشجوی کارشناسی مهندسی برق موسسه آموزش عالی چهلستون