مدل سازی و تحلیل اثر پارامترهای غیرخطی در لیزر توان بالای آرایه ای هدایت بهره GaAs/AlGaAs با ساختار تک چاه کوانتومی
Publish place: 5th Nanotechnology Students Conference
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,618
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC05_228
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1387
Abstract:
در این مقاله مشخصه های نوری(میدان دور و نزدیک)، حرارتی(توزیع دما) و الکتریکی (چگالی حامل) لیزر نیمه هادی تک چاه کوانتومی آرایه ای GaAs/AlGaAsبصورت دو بعدی مورد شبیه سازی قرار گرفته است.معادلات تزویج نوری رفت و برگشت به همراه معادله نرخ حامل و معادله انتشار حرارت بصورت خودسازگار با در نظر گرفتن پارامترهای غیر خطی به کمک روش انتشار پرتو و گسسته سازی تفاضل محدود حل شده است. در این آنالیز اثر ضریب اصلاح خط و ضریب کر با در نظر گرفتن اثرات حرارتی ناحیه فعال در تابع توزیع میدان نزدیک و میدان دور لیزر کوانتومی بررسی شده است. دو حالت ضریب کر منفی و مثبت سازی شده که ضریب کر منفی باعث خودواگرایی و ضریب شکست لیزر معکوس همدیگر می باشند که با توجه به این امر می توان با انتخاب درست کسر مولکولی آلومینیوم و گالیم در ناحیه پوششی لیزر به توزیع پایدار و بهینه خروجی میدان لیزر آرایه ای رسید.
Keywords:
Authors
فرزاد هاشمی حشمت مقام
تهران، دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق
وحید احمدی
تهران، دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده مهندسی برق
ماهیار نوشیروانی
تهران پژوهشکده لیزر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :