بررسی تغییرات ارتفاع سد شاتکی بر روی مشخصات ترانزیستور InAs/AlSb HEMT
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 10,741
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_226
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
در این مقاله یک ترانزیستور InAs / AlSb HEMT با استفاده از معادلات موازنه انرژی و با در نظر گرفتن اثرات کوانتومی شبیه سازی شده و اثر تغییر ارتفاع سد شاتکی بر مشخصات آن بررسی شده است. نتایج شبیه سازی نشان میدهد که افزایش ارتفاع باعث افزایش جریان شده است ولی از طرف دیگر کاهش مقدار gm را در پی داشته است.در این مقاله همچنین نمودارهای سد پتانسیل و چگالی الکترونها نیز رسم شده است .
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :