طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm / میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی (Native)
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 14، Issue: 2
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 437
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-14-2_011
تاریخ نمایه سازی: 1 اردیبهشت 1397
Abstract:
در این مقاله با توجه به افزایش نیاز به مراجع ولتاژ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین به خصوص در تجهیزات پزشکی، یک مرجع ولتاژ، با استفاده از اختلاف ولتاژ آستانه ( Vth) یک ترانزیستور ذاتی (Native) و یک ترانزیستور معمولی اثر میدان (FET) ارایه شده است. پس از شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی 0٫18، مقدار ضریب دمایی ppm°C15 و مقدار حساسیت خط %/V0.98 بدست آمد. حداقل ولتاژ تغذیه برای این مدار 0٫7 و توان مصرفی در دمای اتاق 700 نانو وات و ولتاژ خروجی 370 میلی آمپر است که این مرجع را برای تجهیزات نانو آمپری مناسب میسازد. در انتها برای بیاثر کردن تغییرات پروسه یک روش برای تنظیم دیجیتال این نوع مراجع ولتاژ ارایه شده است.
Keywords:
Authors
پرویز امیری
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی تهران - ایران
آوا هدایتی پور
کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی – تهران – ایران
شقایق اصلان زاده
کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی – تهران – ایران