ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 031 نانومتر CMOS
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 525
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ARGCONF02_004
تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول دهه جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده می شود به کار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول، باعث افزایش بحث و پهنای باند به طور هم زمان می شود. سلول بهره پیشنهادی از سه طبقه ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر یه یک ولتاژ dC و سپس. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی 131 نانو متر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره نسبتا خوبی حدود 22 dB در طول پهنای باند 21 GHz به دست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود به دست می دهد.
Keywords:
Authors
مرضیه پارسایی
دانشجوی کارشناسی ارشد، موسسه آموزش عالی بعثت کرمان
سیامک طالبی
دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان
احمد حکیمی
دانشیار ،دانشگاه شهید باهنر کرمان
محمدمهدی پژمان
دانشجوی دکتری ،دانشگاه یزد