خواص ساختاری و ترمو دینامیکی Ga27Ge3 با استفاده از نظریه تابعی چگالی

در این مقاله با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابعی چگالی اثرات ناخالصی سیلیکون بر نانو کلاستر Ga30 را بررسی کرده ایم. تعداد 500 ساختار مختلف را جهت بدست آوردن حالت پایه نانو سیستم Ga27Ge3 انتخاب کرده و مورد مطالعه قرار دادیم. با استفاده از نمودار ظرفیت گرمایی دمای ذوب نمونه را محاسبه کرده و با دمای ذوب Ga30 مقایسه شده است. ما نشا ن دادیم که ناخالصی های ژرمانیوم اثرات قابل توجهی بر خواص ترمودینامیکی اتم های میزبان دارند. برعکس Ga30، گرمای ویژه Ga27Ge3 به طور واضح نشان می دهد که در دمای حدود 460 کلوین ذوب اتفاق افتاده است و باعث شده است Ga30 که نقطه ذوب مشخصی نداشت و در یک بازه دمایی ذوب می شد هم اکنون با اضافه کردن ناخالصی دارای نقطه ذوب معلوم و مشخص شده است.

Keywords:

نانو کلاستر , نقطه ذوب , نظریه تابعی چگالی , خواص ترمودینامیکی , ناخالصی , ژرمانیوم