بررسی خواص فیزیکی اکسید روی شبه گرافینی در حضور اتم هیدروژن
Publish place: 1st National Conference on Micro/Nanoscale Technologies
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 648
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MNTECH01_081
تاریخ نمایه سازی: 23 آذر 1397
Abstract:
در این مقاله با استفاده از نظریه تابع چگالی خواص الکترونیکی صفحه اکسید روی بدون ناخالصی و سپس خواص صفحه ی اکسید روی در حضور اتم هیدروژن را بررسی کردهایم که شامل ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی میباشد. نشان داده ایم چگالی حالات صفحه اکسیدروی باحضور اتم هیدروژن در مقایسه با چگالی حالات صفحه اکسید روی بدون هیدروژن تفاوت دارد و مشاهده کردیم حضوراتم هیدروژن، باعث ایجاد خاصیت مغناطیسی در نمونه و به دنبال آن پهن شدگی توزیع الکترون در گستره انرژی میشود. همچنین با توجه به نمودار ساختار نواری و با کوچک شدن اندازه گاف انرژی اکسید روی با حضور ناخالصی نسبت به حالت بدون ناخالصی و قرارگرفتن تراز فرمی در نوار رسانش، به این نتیجه رسیدیم که صفحه اکسیدروی باحضور اتم هیدروژن خاصیت رسانندگی دارد
Keywords:
Authors
پروانه کریمی
دانشکده فیزیک پلاسما، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
لیلا اسلامی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، تهران، ایران