شبیه سازى و تحلیل ترانزیستور اثر میدانى غیر پیوندى تونلى ( JLTFET ) درمحیط نرم افزار سیلواکو با هدف تعیین میزان اثرپذیرى شاخص هاى مهم از مهندسى گیت
Publish place: Qaemshahr Computer and Electronical Engineering Conference
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 421
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
QCEEC01_075
تاریخ نمایه سازی: 3 اردیبهشت 1398
Abstract:
در این مقاله به ارایه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثرمیدانی غیرپیوندی تونلی (JLTFET) پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی و... هستیم. با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود.
Keywords:
Authors
محمد جواد کوچک پور
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت
سید علی صدیق ضیابری
استاد یار گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت