اثر نقص های استون-ولز و تهی جای بر رسانش نانو لوله های کربنی
Publish place: Iranian Physics Conference 1388
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,672
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC88_118
Index date: 18 January 2010
اثر نقص های استون-ولز و تهی جای بر رسانش نانو لوله های کربنی abstract
در این مقاله به بررسی اثرات نقص های استون-ولز و تهی جای روی رسانش الکتریکی نانو لوله های تک دیواره کربنی پرداخته ایم. رسانش نانو لوله ها در فرمول بندی ترابرد همدوس با هامیلتونی بستگی قوی تک نواری و توابع گرین سطحی و محاسبه ماتریس های انتقال بروش تکرار صورت پذیرفته است. برای درنظر گرفتن اثرات مغناطیسی مربوط به نواقص تهی جای هامیلتونی کانال به کمک مدل میدان موثر هابارد به روش حل خود-سازگار محاسبه شده است. اثرات پراکندگی الکترون توسط این نواقص در کانال به دلیل تداخل امواج الکترونی عموماً سبب کاهش جریان های عبوری از کانال می شود و اثرات مغناطیسی در کانال نیز سبب جدایی کوچکی بین جریان های اسپینی می شود که این قطبیدگی با مغناطش ایجاد شده در کانال متناسب است.
اثر نقص های استون-ولز و تهی جای بر رسانش نانو لوله های کربنی authors
روح اله فرقدان
گروه فیزیک ، دانشگاه تربیت مدرس
علیرضا صفارزاده
گروه فیزیک ، دانشگاه پیام نور تهران ، پژوهشکده علوم نانو ، پژوهشگاه د
اسماعیل ساعی ورایرانی زاد
گروه فیزیک ، دانشگاه تربیت مدرس