بررسی مدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختار نیمه رسانا
Publish place: Iranian Journal of Applied Physics، Vol: 4، Issue: 1
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 1,016
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-4-1_005
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398
Abstract:
به کمک تقریب دی الکتریک پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصل مشترک یک سیم کوانتومی استوانه ای از جنس GaAs در یک محیط نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردار موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختار صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :