تأثیر ولتاژ درین بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی در سطوح آلایش متفاوت

Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,261

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC02_021

تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388

Abstract:

ویژگی های چشمگیر مدارات و ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بیانگر این امر است که این ادوات می توانند نقش مهمی در سیستم های الکترونیکی آینده ایفا نمایند. در این مقاله تأثیر ولتاژ درین درسطوح متفاوت آلایش سورس/ درین بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور و کانال نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0)، بررسی می گردد. این ادوات با استفاده از تابع گرین غیر تعادلی که معادله شرودینگر را به صورت خود سازگار با معادله پوآسن حل می کند، شبیه سازی می شوند. نتایج بدست آمده نشان می دهد افزایش سطح ناخالصی سورس/درین، در ولتاژ درین ثابت، به دلیل افزایش جریان نشتی، عملکرد افزاره را کاهش می دهد. همچنین افزایش ولتاژ درین، در هر مقداری از سطح آلایش، با افزایش چشمگیر جریان تشتی در حالت خاموش و با وجود افزایش ولتاژ درین هدایت بهبود می یابد اما سویینگ زیر آستانه افزایش خواهد یافت.

Authors

شاهین قربانی زاده شیرازی

دانشگاه آزاد اسلامی قزوین، دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات

ستار میرزا کوچکی

دانشگاه علم و صنعت ایران، دپارتمان مهندسی برق و پژوهشکده الکترونیک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure Properties and Applications, M. S Dresselhaus, ...
  • Special issue On carbon nanotubes, Physics World, 13 (6), June ...
  • S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, ...
  • R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and ...
  • A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, E. ...
  • J. Guo, M. lundstrom , "Device Simulation of SWNT-FETs", edited ...
  • S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, ...
  • A. Javey, R. Tu, D. B. Farmer, J. Guo, R. ...
  • S. Datta, "Nanoscale device modeling: the Green's function method, " ...
  • S. Datta, Quantum transport : atom to transistor. Cambridge, UK; ...
  • M. Lundstrom, Fundamentas of Carrier Tranpsort, 2 Edition, Cambridge University ...
  • نمایش کامل مراجع