بهبود مشخصات سلول خورشیدی بس بلوری CdS/CdTe با استفاده از لایه جاذب GaSb
Publish place: National Congress for the Development of New Research in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 566
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD02_007
تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398
Abstract:
در این مقاله، اثر لایه جاذب GaSb بر روی کارآیی یک سلول خورشیدی با پیوند دوگانه CdS/CdTe مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا، مشخصات الکتریکی سلول خورشیدی CdS/CdTe مرجع را، شبیه سازی و اعتبار سازی شده و با نتایج تجربی سلول خورشیدی CdS/CdTe ساخته شده، مقایسه می شود. به منظور افزایش بازده، یک ساختار جدید با استفاده از لایه جاذب GaSb ارائه شده است که سبب کاهش ضخامت سلول نیز می شود. نتایج نشان می دهد با استفاده از لایه جاذب GaSb می توان بازدهی سلول خورشیدی را 3/4 درصد در مقایسه با سلول مرجع افزایش داد. تحت شرایط AM 1/5، ولتاژ مدار باز و چگالی جریان اتصال کوتاه و ضریب پری و بازده ساختار سلول خورشیدی بهینه شده به ترتیب 0/91V؛ (28/2mA/cm(2؛ 0/84 و 21/4% هستند.
Keywords:
Authors
ملیحه ماهودی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران
سعید مرجانی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران
بهنام درستکار
گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران