تحلیل اثر تونل زنی باند به باند در ترانزیستور اثر میدان تونلی
Publish place: National Congress for the Development of New Research in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1397
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 994
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ECCIRD02_010
Index date: 29 June 2019
تحلیل اثر تونل زنی باند به باند در ترانزیستور اثر میدان تونلی abstract
در سال های اخیر با کوچک شدن تکنولوژی CMOS محدودیت هایی در عملکرد قطعه نظیر توان مصرفی، سرعت سوئیچ و همچنین کار با ولتاژ پایین تر، باعث پیدایش قطعه ای جدید گردید. در تحقیقات نانومتری با دیدگاه جابجایی الکترون از داخل سد پتانسیل و از فرآیند تونل زنی باند به باند (BTBT)، ترانزیستور اثر میدان تونلی (TFEI)، مورد توجه طراحان الکترونیک و فیزیک قرار گرفت و مدل اولیه آن ساختار به فرم p-i-n پیشنهاد شد. در این مقاله روابط و تحلیل چگونگی جابجایی الکترون و مباحث مربوط به تونل زنی باند به باند مرور می گردد و در نهایت ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر سیلیکن با استفاده از نرم افزار SILVACO شبیه سازی می گردد. در ترانزیستور اثر میدان تونلی برخلاف MOSFET که از تزریق حامل ها به صورت thermionic است. از مکانیسم تونل زنی از داخل سد پتانسیل برای حامل ها استفاده می شود. ویژگی برتر قطعات مبتنی بر BTBT شیب زیر آستانه (SS) کمتر از mV/dec60 می باشد.
تحلیل اثر تونل زنی باند به باند در ترانزیستور اثر میدان تونلی Keywords:
تحلیل اثر تونل زنی باند به باند در ترانزیستور اثر میدان تونلی authors
بهنام درستکار
موسسه آموزش عالی وحدت تربت جام، خراسان رضوی، ایران
وحید بهادررضاآبادی
موسسه آموزش عالی وحدت تربت جام، خراسان رضوی، ایران
حامد خدابخشی
موسسه آموزش عالی وحدت تربت جام، خراسان رضوی، ایران