بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی
Publish place: Journal of Applied Electeromagnetics، Vol: 4، Issue: 3
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 337
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_ELEMAG-4-3_006
تاریخ نمایه سازی: 23 مرداد 1398
Abstract:
در این مقاله، با استفاده از موجبر کریستال فوتونی هایبرید، ساختاری برای تقویت کننده رامان پیشنهاد می شود که در آن به کمک ایجاد نانو حفره های پر شده با مواد اپتوفلوییدی در مسیر پمپ و سیگنال، سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش یافته و در نتیجه بهره و عرض باند تقویت رامان افزایش می یابد. در این ساختار، پارامترهای هندسی برای دست یابی به بهره و عرض باند تقویت بزرگتر، بهبود می یابند. معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل می شوند. سپس با تزریق هم زمان 3 پمپ با طول موج و توان مناسب به ساختار تقویت کننده رامان با طول um 350، بهره رامان 10.06 db و عرض باند تقویت nm 5.75 حاصل می شود.
Keywords:
Authors
امیره سیدفرجی
دانشگاه الزهرا (س)
وحید احمدی
تربیت مدرس
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :