طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS، توانکم و بهره بالا در فرکانس GHz6 با تکنولوژی nm180
Publish place: Sixth National Congress on Electrical Engineering and Computer Engineering of Iran with a New Approach to New Energy
Publish Year: 1398
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 746
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
COMCONF06_257
Index date: 15 September 2019
طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS، توانکم و بهره بالا در فرکانس GHz6 با تکنولوژی nm180 abstract
در این مقاله طراحی یک تقویت کننده کم نویز LNA در محدوده فرکانسی 4-8 گیگاهرتز با فرکانس مرکزی GHz 6 برای استفاده از سیستم های بی سیم مایکروویو ارائه شده است. در این کار، از یک مدار دو طبقه برای ارائه نویزفیگر، افزایش بهره و مصرف توان پایین استفاده شده است. بعضی از توپولوژی هایی برای طراحی LNA مانند: تطبیق امپدانس، تقویت کننده گیت مشترک CG، فیدبک سری و تقویت کننده های کاسکود وجود دارند. این طراحی بصورت توپولوژی کاسکود برای افزایش بهره و کاهش نویز فیگر استفاده شده است. برای انجام شبیه سازی از نرم افزار ADS استفاده شده است. پارامترهای مورد تحلیل در این مقاله پارامتر S ، بهره، پایداری، نویزفیگر و خطی بودن می باشد. شبیه سازی و نتایج، نویزفیگر 1/044 دسی بل، بهره 14 دسی بل و توان تلف شده 6/5 میلی وات را نشان می دهند. این طراحی با استفاده از تکنولوژی 180 نانومتر شرکت TSMC انجام شده است
طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS، توانکم و بهره بالا در فرکانس GHz6 با تکنولوژی nm180 Keywords:
طراحی تقویت کننده کم نویز CMOS، توانکم و بهره بالا در فرکانس GHz6 با تکنولوژی nm180 authors
فرزاد مولودی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه کردستان
حمید نیکبخت
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه کردستان