بررسی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی تک جداره و چندجداره
Publish place: 1st Electrical Engineering Conference
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,645
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
YAZDEEC01_058
تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1389
Abstract:
از زمانی که اولین گزارشها در مورد نانو لوله های کربنی در سال 1993 ارائه شد آنها موضوعی جذاب برای تحقیقات اساسی و کاربردی بوده اند از جمله مباحثی که دراین زمینه مورد بررسی قرار گرفته مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانولوله ی کربنی می باشد زمانی که اولین ترانزیستور اثر میدان نانولوله ی کربنی در سال 1993 گزارش شد چگونگی عملکرداین قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفتهای بعدی شناخت تکنولوژی آن را با سرعت بسیاری انجام شد دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدان ساخته شده با استفاده از نانولوله های کربنی تک جداره و چند جداره مورد بررسی قرار میگیرند.
Keywords:
Authors
فخرالسادات رستگاری
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :