افزایش خنک کاری هیتسینک های آلومینیومی در صنایع الکترونیک با استفاده ازروش قابل انجام در مقیاس صنعتی
Publish place: 18th Fluid Dynamics Conference
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 503
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CFD18_028
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1398
Abstract:
در پژوهش حاضر، یک روش مبتکرانه و کم هزینه برایایجاد سطح زبرشده ی میکروساختار بر روی هیتسینک آلومینیومی به منظور افزایش قابلیت خنک کاری آن، پیشنهاد شد. برایاین منظور، دو نمونه ی هیتسینک معمولی و زبرشده را در گرمایی معادل گرمای تولیدی یک پردازشگر Core i7-3770T آزمایش شدند. بدین منظور، شارهای حرارتی 8000W/m، 1000W/m2 و 12000W/m2 انتخاب گردید. مشخص شد که دمای هیتسینک زبر برای شارهای حرارتی مذکور به ترتیب 6/7ºC، 7/0ºC و 7/3ºC کمتر از دمای هیتسینک معمولی میباشد. این بدین معناست که مقاومت حرارتی هیتسینک زبر شده نسبت به هیتسینک صاف به ترتیب 23/3%، 26/3% و 22/9% کاهش پیدا کرده است. به عبارت دیگر درصورت استفاده از هیتسینک زبر در شارهای مذکور درحدود 15% بهبود خنک کاری هیتسینک مشاهده میشود. همچنین میکروزبریهای ایجاد شده در سطح به کمک میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشاهده گردید.
Keywords:
Authors
محمدرضا عطار
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مواد، دانشگاه فردوسی مشهد
مجید محمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک،دانشگاه فردوسی مشهد
محمد پسندیده فرد
استاد، گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه فردوسی مشهد
علی داودی
دانشیار، گروه مهندسی مواد، دانشگاه فردوسی مشهد
محسن حدادسبزوار
استاد، گروه مهندسی مواد، دانشگاه فردوسی مشهد