نفوذ فسفر با غلظت زیاد در سیلیکن

بر خلاف تولید مدارات مجتمع به وسیله ی نیمه هادی ها،نفوذ فسفربه صورت گسترده ای به عنوان ساطع کننده در سلول های خورشیدی کاربرد داردو این به خاطر توانایی غلظت بالای فسفر ،برای نامطلوب شدن ناخالصی های نوع اهن است پس شبیه سازی فرایند نفوذ با هدف طراحی سلول خورشیدی را بررسی می کنیم. شبیه سازی فسفر باغلظت زیادبه کمک فسفات سیلیکات در دمای 890 درجه ی سانتی گراد و به مدت 14.25 دقیقه انجام شد.ایده ی این فرآیند،ترکیبی از ایده هایی از رانش بینابینی های سیلیکن در زمینه ی تنش های آلاستیک ،با مفهوم تشکیل خوشه های بار منفی از اتم های ناخالصی است.با مشاهده ی پرفایل غلظت فسفرکه با روش sims بدست می اید،درمی یابیم که غلظت ناخالصی دارای 3منطقه ی فلاتی(غلظت الکترون ها نزدیک سطح ثابت استI) ناحیه ی دوم (توزیع ناخالصی علامتش به صورت برعکس عوض می شود(ناحیه ی سوم)ناحیه ای که غلظت ناخالصی کم می باشد)است.در انتها حداکثر غلظت فسفر ( فرمول در اصل مقاله ) و هم چنین ضریب نفوذ فسفر (فرمول در متن اصلی مقاله) بوده است.که این مشاهدات با معادلات نفوذی که بر اساس توزیع غیر یکنواختی در مدل های جدید ارائه شده است،سازگاری مناسب و قابل قبولی دارد.

Keywords:

نفوذ , فسفر , ناخالصی , انتشار