طراحی یک ساختار جدید سوئیچ خازنی موازی RF MEMS و تحلیل ریاضی ثابت فنری به منظور کاهش ولتاژ تحریک سوئیچ
Publish place: The First Iranian Microelectronics Conference
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 701
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMCONF01_022
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1398
Abstract:
بالا بودن ولتاژ تحریک یکی از مهمترین محدودیت های سوئیچ های RF MEMS است، که با کاهش ثابت فنری می توان آن را کم کرد. اما کاهش بیش از حد ثابت فنری سوئیچ را از کار می اندازد. در این مقاله با ارائه یک تحلیل ریاضی جدید مقدار حداقل ثابت فنری را به دست آورده و در ادامه، ساختار جدید ایمن شده ای ارائه شده است ، که دارای ولتاژ تحریک 1.8 ولت و زمان سوئیچینگ 25.6 میکروثانیه و با حداکثر استرس قابل تحمل 4.5 مگا پاسکال، فرکانس طبیعی سوئیچ 3118.6 هرتز و جرم آن 0.206 نانوگرم و درنتیجه ثابت فنر 0.79 نیوتن بر متر است که در تحلیل فوق صدق می کند، جنس پل و بیم ها از طلا و دی الکتریک از Si3N4 استفاده شده است.
Keywords:
Authors
فرید خموئی تولی
کارشناسی ارشد، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران،
جواد یاوند حسنی
استادیار، دانشکده برق، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران،