کاهش توان مصرفی سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری
Publish Year: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 608
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCELEC03_039
تاریخ نمایه سازی: 14 فروردین 1399
Abstract:
حافظه SRAM مهم ترین بخش مدارات دیجیتال هستند که بخش زیادی از سیستم های روی تراشه را به خود اختصاص می دهند. بنابراین کاهش توان مصرفی حافظه منجر به کاهش توان کل تراشه خواهد شد. در این مقاله با بهره بردن از ترانزیستورهای با وهتاژ آستانه بزرگ جریان نشتی سلول حافظه SRAM را کاهش داد و نتایج شبیه سازی کاهش 56 % و%33 را برای توان نوشتن و توان استاتیکی را نسبت به ساختار معمول حافظه SRAM نشان می دهد. همچنین کلیه شبیه سازی ها تحت نرم افزار Cadence و تکنولوژی فایل 180 نانومتر CMOS صورت پذیرفته است.
Keywords:
Authors
محمد حسین کریمی
آزمایشگاه میکرو الکترونیک و میکرو سنسور دانشکده مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه تبریز