محاسبه پذیرفتاری مرتبه سوم χ3 نانوذر ات CdTe
Publish place: 17th Iranian Conference on Optics and Photonics (ICOP2011)
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,460
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_309
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
Abstract:
در این مقاله نانوذراتCdTeسنتز شده و طیف جذب مرئی از آن گرفته شده است که نشان دهنده قلۀ جذبی در حدnm450می باشد. سپس با استفاده از الگوی پراشXRDو تصویرSEMاندازه این نانوذرات درحدnm57تعیین شده است. با استفادهاز لیزر پیوستۀHe-Ne (λ=632.8 nm) اندازه و علامت ضرایب شکست و جذب غیرخطی مرتبۀ دوم این نانوذرات با استفاده از آزمایشجاروبz- روزنه بسته و روزنه باز تعیین گردیده و پذیرفتاری مرتبه سوم غیر خطی برای چند شدت مختلف محاسبه شده است
Keywords:
Authors
محمدحسین مجلس ارا
آزمایشگاه فوتونیک، دانشگاه تربیت معلم تهران، تهران
زهرا جوادی
آزمایشگاه فوتونیک، دانشگاه تربیت معلم تهران، تهران
محمود ابراهیم زاده پوستچی
گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
رضا گلزاریان
گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :