حافظه نوری فلش مبتنی بر نور کند در بلورهای فوتونی
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 50، Issue: 3
Publish Year: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 352
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-50-3_002
تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1399
Abstract:
در این مقاله، طراحی و شبیهسازی نوع جدیدی از حافظههای نوری مبتنی بر نور کند در ساختار بلور فوتونی نوع میله با شبکه ششضلعی برای اولین بار ارائه میشود که کنترل فرآیند نوشتن، نگهداری و خواندن اطلاعات به صورت مستقل و با تغییر ضریبشکست صورت میگیرد. حافظه نوری معرفیشده از نوع فلش است که بر پایهی مفهوم نور کند در بلورهای فوتونی بهدستآمده و قابلیت کارکرد به صورت موازی و بر اساس روش مالتیپلکسینگ طولموج را دارد. حافظه برای عملکرد در طولموج کاری 1550 نانومتر با پهنای باند 1 نانومتر طراحی شده، هرچند عملکرد ساختار با استفاده از اصل مقیاسپذیری در بلورهای فوتونی به محدوده وسیعی از طولموجهای باند مخابرات نوری قابل گسترش است. فاکتور کیفیت در محل سلول حافظه برای ساختار پیشنهادی برابر با 105´3.4 است که با افزایش سایز حافظه قابل ارتقاء است. طول عمر فوتون با لحاظکردن فاکتور کیفیت 105´3.4 برابر با 0.6 نانوثانیه است. ویژگیهای قابل توجه ساختار پیشنهادی برای حافظه نوری، امکان کنترل مستقل فرایند نوشتن و خواندن اطلاعات، اندازه کوچک، سرعت بالای فرایند خواندن و نوشتن، مدت زمان طولانی برای نگهداری حافظه و ایجاد تطبیق ضریبشکست گروه تقریباً برابر برای درگاههای ورودی/ خروجی و سلول حافظهاست که باعث افزایش بازده الحاق میشود.
Keywords:
Authors
علی ابراهیمی
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه صنعتی سهند
مینا نوری
دانشکده مهندسی برق- دانشگاه صنعتی سهند- تبریز- ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :