بررسی مدهای نقصدر کریستال فوتونی سه لایه ای یکبعدی متقارن
Publish place: 2nd National Conference on Optic and Laser Engineering
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,245
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_178
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
Abstract:
در این مقاله، کریستال فوتونی سه لایه ای متقارن با نقصدر نظر گرفته شده است. با محاسبه عبور با تغییر طول موج برای قطبشTMمدهای نقصبررسی شده اند. مشاهده شد که درون باند گاف کریستال فوتونی متقارن دو مد نقصوجود دارد. ارتفاع مدهای نقصبه زاویه تابشبستگی ندارند. همچنین با افزایشزاویه تابشمدها به سمت طول موجهای بزرگتر جابه جا می شوند. به علاوه با افزایشضریب شکست لایه نقصمدهای نقصبه سمت مرکز گاف حرکت می کنند. هر چه مکان لایه نقصدر کریستال فوتونی متقارن تر باشد مد نقصبا کیفیت بهتری در باند گاف ایجاد می شود
Authors
عبدالرسول قرائتی
دانشگاه پیام نور شیراز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :