بررسی خواصاپتیکی دی اکسیدقلع به وسیله محدودشدگی کوانتومی درنانوساختارها

Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 910

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE02_216

تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389

Abstract:

در این پژوهشطیف انرژی، تغییرات اندازهی نانوذرات نیمهرسانا و همچنین تغییرات جرم موثر کاهشیافته در نانوذرات نیمهرسانایSnO2 تهیه شده با روشهای مختلف بررسی شدهاند. مدلهای کوانتومی به کار رفته در این بررسی، تقریب جرمموثرEMA)1 و مدل نواری هیپربولیکHBM)2 است. مقایسه نتایج نشان میدهد که رفتار پراکندگی حول و حوشیکمقدار خاصدر مورد مدلهای مختلف، متفاوت میباشد و این رفتار به نحوه تهیه و آنالیز نمونهها بستگی دارد. همچنین مدلهای کوانتومی EMA وHBM در نانوساختارهای نیمهرسانا با گاف انرژی مستقیم بزرگ و کوچکرفتار کوانتومی و تغییرات آن با اندازه ذرات مورد بررسی قرارگرفتهاند. نتایج بررسی حاکی از آن هستند که مقدار گاف انرژی تاثیر مستقیم بر روی رفتار اثر کوانتومی در نانوساختارهای نیمهرسانا دارد البته علاوه بر این مسئله، اختلاف گاف انرژیهای مختلف نیز دارای رفتارهای مختلفی میباشد

Authors

فاطمه قلی زاده

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد قم

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، 28 و 29 اردیبهشت 1390 ...
  • G. D. Gilliland, Materials Scince and Engineering, R 18, 99- ...
  • D. A. B. Miller, Semiconductor Optoelectronics Devices, Stanford University, _ ...
  • Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices, Colarado University ...
  • P. K. Bsu, N. Saha, S. Basu, J Mater Sc: ...
  • Sh. Z. Kang, Y. Yang, J. Mu, Colloids and Surface ...
  • X. Zhang, Sh. Hou, H. Mao, J. Wang, Z. Zhu, ...
  • S. Takahashi, H. Wada, A. Noguchi, O. Odawara, Materials Letters ...
  • J. Klanwan, N. Akrapattangkul , V. Pavarajarn, T. Seto, Y. ...
  • Z. Ji, Sh. Zhao, C. Wang, K. Liu, Materials Scince ...
  • B. Carlson, K. Leschkies. E. S. Aydil, X. -Y. Zhu, ...
  • P. Zhang, W. Liu, Biomaterials 3 (2010) 3087-3094 ...
  • J. Liqiang, W. Baiqi, X. Baifu, L. Shudan, Sh. Keying, ...
  • Q. Yuan, S. Hein. R. D. K. Misra, ActaB iomaterialia ...
  • S. Modak, S. Acharya, A. B andyopadhyay, S. Karan, S. ...
  • H. Zhang, N. Du, _ Chen, T. Cui, D. Yang, ...
  • Y. Li, Y. H. Zhang, W. Liu, V. Ortalan, Y. ...
  • M uthuvinayagam, N.Melikechi, P. D. Christy, P. Sagayaraj, Physica B ...
  • A. Umar, Journal of Alloys and Compounds 485 (2009) 795- ...
  • _ _ Zhou, D. Xu, D. ...
  • S. Sambasivam S. B. Kim, J. H. Jeong, B. C. ...
  • L. KGrosi, S. Papp, V. Meynen, P. Cool, E. F. ...
  • V. Taghvaei, A. Habibi-Yangj eh, M. Behboudnia, powder Technology 195 ...
  • نمایش کامل مراجع