بررسی اثر شدت لیزر بر بازدهSWCNTسنتز شده توسط تبخیر لیزرNd:YAG
Publish Year: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,423
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NUOPI01_045
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1389
Abstract:
تاثیر شدت لیزرNd:YAGبر بازده نانو لوله های کربنی تک دیواره سنتز شده به روش تبخیر لیزر پالسیPLV)با مقایسه ی سهساختار متفاوت لیزری: 1- تک پالس2.532nm 2-تک پالس 1064nm 3-جفت پالس 532+1064nm بررسی شد ونتایج با بهره گیری از طیف سنج پراکندگی ناکشسان رامان مقایسه شدند. قطع نظر از ساختار لیزر به کار برده شده، بازده و خصوصیات فیزیکیSWCNTs حساسیت بالایی را به شدت لیزر از خود نشان می دهند. با تحلیل طیف های رامان، نشان داده شد که وجود یک شدت لیزر بهینه نه فقط منجر به بالاترین بازده مجموعه ی SWCNTsمی شود که به کمترین تراز آمورف و کربن sp² بی نظم در رسوبات منجر خواهد شد.
Keywords:
Authors
سعید محمدی چری
تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، مرکز تحقیقات فیزیک،
عبدالحسین رضوانی
تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع) ، دانشکده علوم پایه،
امیرمسعود میری
تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، دانشکده برق، گروه ال
نادر امیری راد
تهران، اتوبان شهید بابایی، دانشگاه امام حسین (ع)، مرکز تحقیقات فیزیک،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :