تقویت کننده کلاس F با راندمان بالا و طراحی تقویت کننده کلاس F توان بالا با مدار جبران ساز پارازیتی

اساس ساختمان تقویت کننده های توان قطعه فعال ترانزیستور است . که نقش اصلی در تعیین قابلیت های تقویت کننـده هـای توان از لحاظ توان خروجی ، بهره ، بازدهی ، خطسانی و پهنای باند را بازی می کند . تقویت کننـده تـوان المـان اصـلی بـرای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد.تقویت کننده توان یک توان تغذیه DC رابه یک مقدار خاصی از فرکانس رادیوییRF ویا توان مایکروویو تبـدیل میکنـد. تولیـد توان RF مایکروویو نه تنها برای سیستم انتقال بی سیم بلکه برای برنامه های کـاربردی ماننـد پخـش کننـده پارازیـت تصـویر برداری وگرمایش RFمورد نیاز است . طراحی ، ساخت و اندازه گیری یک تقویت کننده قـدرت تـوان بـالا HEMT از جـنس GaN پهنای گسترده با بازدهی بالا ارایه شده است. اثرات پارازیتی بسته با استفاده از یک مدار جدید جبران ساز به طـور عمـده کاهش داده می شود تا دقت تطبیق امپدانس افزایش یابد. یک ساختار بهبود یافته بر اساس ساختار کلاسF مرسوم ارایـه شـده است که شامل همه ی هارمونیک های زوج و هارمونیک سوم کنترل شده به طور موثری است. همچنین روش تطبیق امپدانس stepped impedance به شبکه کنترل هارمونیک سوم اعمال شده است تا تاثیر مثبتی روی گسترده کـردن پهنـای بانـد داشته باشد. ترانزیستور قدرت CGH40025F برای ساختن تقویت کننده توان مورد استفاده قرار گرفته است کـه در فرکـانس های 0.8-2.7GHz کار می کند.

Keywords:

تقویت کننده کلاس F , راندمان , امپدانس , تقویت کننده توان