بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,080
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCANPAS01_064
تاریخ نمایه سازی: 28 خرداد 1390
Abstract:
در این مقاله لایه های نازک نانوساختار PbSeبا رسوبگیری از محلولهای شیمیائی استات سرب , ,سولفیت سدیم و پودر سلنیمتهیه شده اند. اثرغلظت محلولها ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف رژی نواری مطالعه شده است. در این کار ما با بررسی اثر غلظتهای متفاوت برشرایط رشد و ارایش لایه ها غلظتهای بهینه را معرفی کرده ایم در غلظت های بالا به دلیل تشکیل رسوبی سفید رنگ مانع از تشکیل لایه ای پیوسته و یکنواخت است و منجر به تشکیل نقاط کوانتمی می شود. نیمه رسانای دوتائی گروه AII-BVبه ویژهPbSe درشکل نانوبلوری به خاطرخواصنوری واثراندازه کوانتومی اهمیت فراوانی پیدا کرده است با کنترل پارامترهای تهیه میتوان نیمهرساناهائی با گاف انرژی نواری دلخواه تهیه نمود[ روش رسوبگیری ازمحلولشیمیائی به خاطر ارزان و سادهبودن یکی از بهترین روشهای تشکیل نیمه رساناهای گروه II-IV است. خواص لایه های تهیه شده با این روش به نحو محسوسی به پارامترهای تهیه شده مانند غلظت محلولها PH نهایی محلول رفتارهای گرمایی بعد از عمل رسوبگیری مانند پخت در هوا و گازهای دیگری نظیر ارگون نیتروژن و ئیدروژن بستگی دارد گاف انرژی PbSe در حالت توده ای 0.28eVاست
Keywords:
Authors
برهان ارغوانی نیا
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه