بهبود پارامترهای الکترونیکی نانو سیم های سیلیکونی با افزودن ناخالصی فسفر و آرسنیک
Publish place: Advanced materials and technologies، Vol: 4، Issue: 4
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 148
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JEMI-4-4_002
تاریخ نمایه سازی: 23 اردیبهشت 1400
Abstract:
در این مقاله به منظور بهبود پارامترهای الکترونیکی نانوسیم های سیلیکونی، اثر اضافه کردن اتم ناخالصی آرسنیک و فسفر بررسی شده است. پارامترهای بررسی شده شامل طیف انتقال، قابلیت تحرک، طول آزاد میانگین و ساختار باند انرژی می باشد. جهت بررسی رسانایی و قابلیت تحرک نانوسیم های سیلیکونی، انتقال در طول نانوسیم های بلند در حضور تعداد زیادی ناکاملی (مانند ناخالصی، جای خالی، بی نظمی و ناهمواری های سطحی) مورد بررسی قرار گرفته است. در این مقاله به منظور انجام محاسبات ساده تر، نانوسیم های با طول کوتاه و ناکاملی های جزیی مطالعه شده است. از اینرو نانوسیم های با طول محدود را یک بار با افزودن فسفر و بار دیگر با افزودن آرسنیک، آلایش داده و نتایج حاصل از شبیه سازی تحلیل گردید. شبیهسازی با استفاده از نرم افزار QuantumWise انجام شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که با اضافه شدن ناخالصی های آرسنیک و فسفر به نانوسیم های سیلیکونی، طیف انتقال برحسب انرژی، افزایش می یابد. قابلیت تحرک برای چگالی های بار الکترون بیش از کاهش یافته، درحالیکه در چگالی های کمتر از این مقدار، تقریبا ثابت می ماند.
Keywords:
Authors
N. Manavizadeh
Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology