خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 1، Issue: 3
Publish Year: 1389
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 304
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-1-3_002
Index date: 29 May 2021
خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی abstract
اتوماتای سلولی کوانتومی، کی فناوری نوظهور در عرصه نانو فناوری می باشد و پیش بینی میشودکه درصورت رفع مشکلاتی نظیر ساخت، سالهای آینده جایگزینی برای تکنولوژی CMOS باشد.نقص های مختلفی ممکن است در سلول های اتوماتای سلولی کوانتومی حادث شوند. کیی از ایننقص ها، نقص تک الکترونی است که می تواند طی تولید یا عملکرد مدارات اتوماتای سلولی کوانتومیاتفاق افتد و منجر به ایجاد خطا در مدارات مبتنی بر این فناوری شود.بررسی این خطا از این جهتدر مدارات QCA حایز اهمیت است که نوع خطای ایجاد شده در این مدارات، با مدارات CMOSمتفاوت است. مدل سازی این خطا در سطح منطقی برای سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی دراین مقاله ارائه شده است.
خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی Keywords:
خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی authors
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
ستار میرزاکوچکی
دانشیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران
محمد امین امیری
مجتمع برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران