سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی بر روی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

Publish Year: 1399
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 258

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_TJEE-50-4_018

Index date: 30 May 2021

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی بر روی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی abstract

در این مقاله، مطالعه­ای دقیق از مکانیزم تونل­زنی به کمک تله­ها در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی ارائه شده­است. این پدیده باعث تولید جریان نشتی بزرگی قبل از شروع فرایند تونل­زنی باند­به­باند می شود و نقش کلیدی در تعیین جریان حالت خاموش این ترانزیستورها دارد. با اصلاح فرمول SRH نشان داده شده­است که در دمای اتاق برای ولتاژهای کم­تر از ولتاژ آستانه جریان تونل­زنی از­طریق تله­ها همواره غالب بوده و باعث تنزل مشخصه­ی کلید­­زنی ترانزیستور، که توسط شیب زیر آستانه سنجیده می­شود، می­گردد. این نتایج برای ساختارهای دو گیتی و GAA که در آن­ها تله­ها بین ناحیه تونل­زنی سورس-کانال قرار می­گیرند نیز قابل تعمیم است. فرایند تونل­زنی از­طریق تله­ها وابستگی قوی به میدان الکتریکی و دما دارد. در ساختار ترانزیستورهای مورد بحث در این مقاله از نیمه­هادی­های گروه سه و پنج جدول تناوبی استفاده شده­است. هم­چنین اثر متغیرهای ساختاری مختلف بر میزان جریان تونل­زنی از­طریق تله­ها در این پژوهش مورد بررسی قرار گرفته­است.  

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی بر روی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی Keywords:

ترانزیستور اثر میدان تونلی˓ تونل زنی باند به باند˓ تونل زنی از طریق تله ها˓ رابطه SRH˓ نیمه هادی های III , V

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی بر روی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی authors

سیده محجوبه سجادی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان

سعید محمدی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
سید امیر هاشمی˓ «مدل تحلیلی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستور ...
مهسا مراد و میثم زارعی˓ «ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای ...
S. H. Kim, Germanium-Source Tunnel Field Effect Transistors for Ultra-Low ...
T. J. Vasen, Investigation of III-V Tunneling Field-Effect Transistors, Ph.D. ...
W. E. Spear, P. G. LeComber and A. J. Snell, ...
G. Vincent, A. Chantre and D. Bois, “Electric field effect ...
P. T. Landsberg, Recombination in Semiconductors, Cambridge Univ. Press, Cambridge, ...
J. Y. Hou, J. K. Arch, S. J. Fonash, S. ...
J. A. Willemen, M. Zeman and J. W. Metselaar, “Computer ...
H. Xu and Y. Dai, “Two-dimensional analytical model of double-gate ...
J. Furlan, “Tunneling generation–recombination currents in a-Si junctions,” Progress in ...
M. Baudrit, and C. Algora, “Tunnel Diode Modeling, Including Nonlocal ...
R. N. Sajjad, W. Chern, J. L. Hoyt and D. ...
R. N. Sajjad, U. Radhakrishna and D. A. Antoniadis, “A ...
S. Mohammadi and H. R. T. Khaveh, “An Analytical Model ...
نمایش کامل مراجع