بررسی مقاومت به رفتگی دما بالای پوشش های دو لایه SiC/ZrB۲ با ساختار تدریجی اعمال شده به روش پاشش پلاسمایی محافظت شده با گاز آرگون تحت شعله پروپان
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 177
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJCSE-10-1_006
تاریخ نمایه سازی: 19 مرداد 1400
Abstract:
در این پژوهش پوشش دو لایه SiC/ZrB۲ به روش رخنهدهی و پاشش پلاسمایی بر روی گرافیت اعمال شد و رفتار رفتگی آن در شرایط شعله پروپان مورد بررسی قرار گرفت. پوشش میانی SiC با استفاده از روش رخنهدهی و در بستری از پودرهای Al۲O۳, C ,Si در دمای °C۱۶۰۰ و در اتمسفر گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی اعمال گردید. بررسی میکروسکوپی و فازی تشکیل پوشش تدریجی SiC با ضخامت تقریبی μm۶۰۰ همراه با شیب غلظتی عناصر Si وC در ضخامت پوشش را تائید مینماید. لایه دوم ZrB۲ ، به کمک فرآیند پاشش پلاسمایی تحت دوش محافظ گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی حاوی پوشش تدریجی SiC لایهنشانی شد. مشخصه های ساختاری پوشش ZrB۲ با استفاده از SEM، مورد ارزیابی قرار گرفت. مطالعات انجام شده نشان داد که پیوندهای مکانیکی در فصل مشترک پوشش- زیرلایه به خوبی برقرار شده و هیچگونه ترک و ناپیوستگی در پوشش مشاهده نشد. نتایج آزمون رفتگی نشان داد که این پوشش مقاومت خوبی در برابر رفتگی ناشی از شعله پروپان دارد. نرخ رفتگی جرمی پوشش پس از آزمون رفتگی g/cm-۲.s-۱ ۳-۱۰ × ۳/۱- محاسبه شد.
Keywords:
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :