آثار کانال کوتاه ماسفت در مقیاس نانو
Publish place: Twelfth International Conference on Information Technology, Computer and Telecommunications
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 563
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCT12_081
تاریخ نمایه سازی: 7 شهریور 1400
Abstract:
در دهه های اخیر به علت پیشرفت زیاد در الکترونیک طول کانال MOSFET ها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبی ها نیز بههزاران گیگاهرتز رسیده است.از زمانی که اولین ترانزیستور های اثر میدان فلز _ اکسید _نیم رسانا در سال ۱۹۶۰ با موفقیت ارائهشدند، به منظور تامین تقاضای روز افزون برای سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر و ارزانتر تا کنون تلاش های زیادی انجام شدهاست،کوچک سازی ترانزیستور ها بدون تغییر ساختاری با محدودیت و مشکلاتی همراه بوده است،از جمله از این موارد اثراتکانال کوتاه می توان اشاره نمود.در این مقاله به بررسی برخی آثار کانال کوتاه در ترانزیستور پرداخته شده است.
Keywords:
Authors
محمدرضا میرزایی
دانشجوی کارشناسی الکترونیک،دانشکده فنی و حرفه ای پسران رشت (شهید چمران)
مصطفی خشنود
دکترای برق الکترونیک ، مدرس دانشگاه شهید چمران رشت